Меню

Обратный ток коллектора 805

Транзисторы биполярные

Цены приведены с учетом НДС

Транзистор КТ837Т

Транзистор ГТ402И

Транзистор КТ708А

Транзистор КТ343В

Транзистор ГТ403В

ГТ403В
Транзисторы ГТ403В германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в стеклометаллическом корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,0 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» — СИ3.365.036ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: ASY77.

Основные технические характеристики транзистора ГТ403В:
• Структура: p-n-p
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fmax — Максимальная частота генерации: 0,008 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 60 В;
• h21э — Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20. 60 при 5В, 0,1 А;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не нормируется

Транзистор 2Т104В

Транзистор 2Т3187А9

2T3187A9
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n СВЧ транзистор.
Предназначен для использования в усилителях, генераторах, преобразователях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Используются для работы в герметизированной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-46 (SOT-23).
Масса транзистора не более 0,01 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — АЕЯР.432150.117ТУ.
Зарубежные аналоги: BFR92, BFR92A, BFR93.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 50000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Транзистор 2Т9145Б91

Транзистор 2Т9145А91

Транзистор 2Т888В

Транзистор 2Т841В9

Транзистор 2Т841Б9

Транзистор 2Т841Б1

2Т841Б1
Транзисторы 2Т841Б1 кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» аА0.339.625ТУ.
Зарубежный аналог: RH6674.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 50000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Транзистор 2Т841А9

Транзистор 2Т836Г

2Т836Г
Транзисторы 2Т836Г кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Транзисторы 2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В, 2Т836Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Транзистор 2Т836А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2,0 г, кристалла не более 0,0058 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
— приемка «ВП» аА0.339.164ТУ;
— приемка «ОСМ» аА0.339.164ТУ, П0.070.052.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Читайте также:  Сила тока плотность тока конспект

Транзистор 2Т836В

2Т836В
Транзисторы 2Т836В кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Транзисторы 2Т836А, 2Т836Б, 2Т836В, 2Т836Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Транзистор 2Т836А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2,0 г, кристалла не более 0,0058 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
— приемка «ВП» аА0.339.164ТУ;
— приемка «ОСМ» аА0.339.164ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N3203.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Транзистор 2Т830Д

2Т830Д
Транзисторы 2Т830Д кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p, переключательные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
— приемка «ВП» аА0.339.139ТУ;
— приемка «ОСМ» аА0.339.139ТУ, П0.070.052.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Источник

Транзистор КТ805АМ

Фотография КТ805А(АМ)

По своим характеристикам транзистор КТ805АМ относится к мощным среднечастотным кремниевым полупроводниковый компонентам отечественного производства. Он изготавливается по эпитаксиальной технологии, имеет n-p-n-структуру и относится к биполярному типу. Чаще всего устройство применяется в ключевых схемах, поэтому в техописаниях указывается как переключающее.

Первые транзисторы данного типа, в металлическом корпусе, были изготовлены в СССР еще в 70-х годах. В пластиковом корпусе они появились только в 80-х и использовались промышленностью тех лет в различных бытовых приборах. Например, устанавливались в выходных каскадах: первых советских УНЧ, строчной развертки у телевизоров и блоках регулировки оборотов видеомагнитофонов «Электроника ВМ-12» и др.

  1. Назначение выводов
  2. Технические характеристики
  3. Электрические
  4. Аналоги
  5. Содержание драгметаллов
  6. Примеры использования
  7. Производители

Назначение выводов

Цоколевка КТ805АМ следующая. Прибор выполнен в пластиковом корпусе типа КТ-28 (КТ-28-2), для дырочного монтажа. Он имеет встроенный радиатор с отверстием (3.6 мм) для крепления на электрическую плату. В зарубежной классификации это корпус TO-220 (ТО-220AB). Три контакта, если смотреть на маркировку, слева на право, имеют следующие назначение: 1- эмиттер (Э), 2- коллектор(К), 3- база(Б). Масса устройства не более 2.5 гр.

кт805ам цоколевка

Многие радиолюбители путают КТ-28 с корпусом КТ-27. Но это разные упаковки. Будьте внимательны при покупке. КТ805АМ(КТ-27) не бывает !

Вместе с тем, существует транзистор КТ805А в металлостеклянном светлом корпусе, с аналогичными параметрами. Он имеет габариты побольше и весит 24 гр. Характеристики, рассмотренные ниже, относятся к обеим видам устройств.

Технические характеристики

КТ805АМ, как все полупроводниковые приборы, имеет техническое описание от производителя. Оно содержит информацию об устройстве, его обозначению, а так же предельно допустимые характеристики. Рассмотрим их более подробно:

  • максимальное напряжение К-Э: постоянное (UКЭ ) до 60 В; импульсное (UКЭ и) до 160 В при tИ ≤ 500 мкс, tФ ≥15 мс, RБЭ = 10 Ом, температуре перехода (ТП) ≤ +100 O С; до 180 вольт в схемах строчной телевизионной развертки при ТК ≤, tИ ≤ 50 мс;
  • напряжение Э-Б (UЭБ): — 5 В, импульсное (UЭБ и) до 8 В, при tИ ≤ 40 мс;
  • ток коллектора (IК): -5 А; импульсный (IК и) при tИ≤ 40 мс и Q≥1.5 — 8 А;
  • ток базы (IБ) — 2 А; импульсный (IБ и) при tИ ≤ 20 мc — 2.5 А;
  • тепловое сопротивление кристалл-корпус (RТ(П-К)) — 3.3 O С/Вт;
  • средняя рассеиваемая мощность (PК) на коллекторе при ТК ≤ +50 O С до 30 Вт, а при ТК = +100 O С до 15 Вт. Если ТК ≥ +50 O С, то мощность PK рассчитывается по стандартной формуле PKмакс = (150 – TК)/RТ(П-К),Вт;
  • максимальная температура ТП до + 150 O С, вокруг корпуса от -60 до +100 O С.

При увеличении температуры корпуса (ТК) у КТ805А(АМ) более чем на +70 O С, предельное напряжение снижается на 10 процентов на каждые 10 O С.

Электрические

Кроме предельно допустимых значений, в даташит на КТ805АМ указаны электрические значения. В них каждый параметр приводится с учётом определенных режимов измерений, указанных в отдельном столбце. Температура вокруг корпуса прибора при этом составляет не более +25 O С:

Читайте также:  Напряжение в сети 220 в определите силу тока в спирали электроплитки имеющей сопротивление 440 ом

Электрические параметры КТ805АМ

Аналоги

Полным отечественным аналогом у КТ805АМ, с идентичными электрическими параметрами, но в другом металлостеклянном корпусе является транзистор КТ305А. Эти два устройства указаны в одном техническом описании у всех российских производителей. Зарубежными аналогами в пластиковом корпусе ТО-220 можно считать: 2SC2562, 2SC3422 (Toshiba), в металлизированном TO3 — BDY60.

Содержание драгметаллов

Транзисторы КТ805А(АМ) не интересуют скупщиков драгоценных металлов. Чаще всего в подобных устройствах ищут золото, но его в них нет. В интернете попадается информация о содержании в них золота в количестве 0.073 гр. в одной штуке. Однако, согласно справочной информации, даже серебра на 1000 штук в КТ805А ничтожно мало, всего 73.52 гр.

Примеры использования

В настоящее время КТ805А(АМ) сильно устарел, но его продолжают применять в учебных целях и для ремонта древней бытовой электроники. С его помощью можно делать простейшие схемы различных автоматических переключателей, преобразователей напряжения, высокочастотных генераторов, усилителей звуковой частоты и др. Наиболее интересные примеры использования для начинающих можно посмотреть в следующем видеоматериале.

Производители

КТ805АМ является советским транзистором и никогда не выпускался зарубежными компаниями. Его продолжают делать такие известные производители как: АО «Группа Кремний ЭЛ» г.Брянск; ОАО Интеграл г.Минск. Нажмите по ссылке с наименованием изготовителя, чтобы скачать техническое описание на устройство.

Источник

DataSheet

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Транзистор КТ805

Параметры транзистора КТ805

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ805А 2SC687 *1 , MJE5182 *1 , BU312 *1 , 182Т2А *1 , KDY25 *1
КТ805Б BU311 *1 , SK3440 *1 , 2N6466 *3 , 2N6465 *3 , 2N6473 *3 , 181Т2А *3
КТ805АМ MJE5182 *2 , MJE5181 *2 , BD241E *2 , BD241F *2
КТ805БМ SK3440, 2N6474 *2 , BD241D *2 , BDT41C *2 , BDT31C *2 , TIP31C *2 , 2N6473 *2 , BD241C *2 , 2SD772 *2
КТ805ВМ SK3440, 2N6474 *2 , BD241D *2 , BDT41C *2 , BDT31C *2 , TIP31C *2 , 2N6473 *2 , BD241C *2 , 2SD772 *2
Структура n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P * K, τ max,P ** K, и max КТ805А 30 мВт
КТ805Б 30
КТ805АМ 50 °С 30*
КТ805БМ 50 °С 30*
КТ805ВМ 50 °С 30*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f * h21б, f ** h21э, f *** max КТ805А ≥20 МГц
КТ805Б ≥20
КТ805АМ ≥20
КТ805БМ ≥20
КТ805ВМ ≥20
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U * КЭR проб., U ** КЭО проб. КТ805А 160 имп. 60* В
КТ805Б 135 имп. 60*
КТ805АМ 160 имп. 60*
КТ805БМ 135 имп. 60*
КТ805ВМ 135 имп. 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб., КТ805А 5 В
КТ805Б 5
КТ805АМ 5
КТ805БМ 5
КТ805ВМ 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I * К , и max КТ805А 5(8*) А
КТ805Б 5(8*)
КТ805АМ 5(8*)
КТ805БМ 5(8*)
КТ805ВМ 5(8*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I * КЭR, I ** КЭO КТ805А 60 В ≤15* мА
КТ805Б 60 В ≤15*
КТ805АМ 60 В ≤15*
КТ805БМ 60 В ≤15*
КТ805ВМ 60 В ≤15*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э, h * 21Э КТ805А 10 В; 2 А ≥15*
КТ805Б 10 В; 2 А ≥15*
КТ805АМ 10 В; 2 А ≥15*
КТ805БМ 10 В; 2 А ≥15*
КТ805ВМ 10 В; 2 А ≥15*
Емкость коллекторного перехода cк, с * 12э КТ805А
пФ
КТ805Б
КТ805АМ
КТ805БМ
КТ805ВМ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р. КТ805А ≤0.5 Ом, дБ
КТ805Б ≤1
КТ805АМ ≤0.5
КТ805БМ ≤1
КТ805ВМ ≤1.25
Коэффициент шума транзистора Кш, r * b, P ** вых КТ805А Дб, Ом, Вт
КТ805Б
КТ805АМ
КТ805БМ
КТ805ВМ
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс) КТ805А пс
КТ805Б
КТ805АМ
КТ805БМ
КТ805ВМ
Читайте также:  Расчет линейных цепей постоянного тока методом наложения

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Источник



Характеристики транзистора КТ805

КТ805 – кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор большой мощности средней частоты.

Зарубежный аналог КТ805

  • Во многих случаях можно заменить на MJE13009 (расположение выводов другое)

Особенности

  • Комплиментарная пара – наиболее подходящая пара КТ837

Корпусное исполнение и цоколевка КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ

Корпусное исполнение транзистора кт805

  • пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)

Корпусное исполнение и цоколевка КТ805А, КТ805Б

Корпусное исполнение транзистора КТ805А, КТ805Б

Характеристики транзистора КТ805

Предельные параметры КТ805

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):

  • КТ805А — 5 А
  • КТ805АМ — 5 А
  • КТ805Б — 5 А
  • КТ805БМ — 5 А
  • КТ805ВМ — 5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):

  • КТ805А — 8 А
  • КТ805АМ — 8 А
  • КТ805Б — 8 А
  • КТ805БМ — 8 А
  • КТ805ВМ — 8 А

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттеp при сопротивлении в цепи база-эмиттеp (UКЭR max) при Тп = 25° C:

  • КТ805А — 160 В
  • КТ805АМ — 160 В
  • КТ805Б — 135 В
  • КТ805БМ — 135 В
  • КТ805ВМ — 135 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при Тп = 25° C:

  • КТ805А — 5 В
  • КТ805АМ — 5 В
  • КТ805Б — 5 В
  • КТ805БМ — 5 В
  • КТ805ВМ — 5 В

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора (PК, ср max) при Тк = 50° C:

  • КТ805А — 30 Вт
  • КТ805АМ — 30 Вт
  • КТ805Б — 30 Вт
  • КТ805БМ — 30 Вт
  • КТ805ВМ — 30 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Tп max):

  • КТ805А — 150 ° C
  • КТ805АМ — 150 ° C
  • КТ805Б — 150 ° C
  • КТ805БМ — 150 ° C
  • КТ805ВМ — 150 ° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):

  • КТ805А — 100 ° C
  • КТ805АМ — 100 ° C
  • КТ805Б — 100 ° C
  • КТ805БМ — 100 ° C
  • КТ805ВМ — 100 ° C

Электрические характеристики транзисторов КТ805 при Тп = 25 o С

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (UКЭ) 10 В, при постоянном токе коллектоpа (IК) 2 А:

  • КТ805А — 15
  • КТ805АМ — 15
  • КТ805Б — 15
  • КТ805БМ — 15
  • КТ805ВМ — 15

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • КТ805А — 2,5 В
  • КТ805АМ — 2,5 В
  • КТ805Б — 5 В
  • КТ805БМ — 5 В
  • КТ805ВМ — 2,5 В

Обратный ток коллектор-эмиттеp при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттеp (IКЭR)

  • КТ805А — 60 мА
  • КТ805АМ — 60 мА
  • КТ805Б — 70 мА
  • КТ805БМ — 70 мА
  • КТ805ВМ — 70 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ805А — 20 МГц
  • КТ805АМ — 20 МГц
  • КТ805Б — 20 МГц
  • КТ805БМ — 20 МГц
  • КТ805ВМ — 20 МГц

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТ п-к)

  • КТ805А — 3,3 ° C/Вт
  • КТ805АМ — 3,3 ° C/Вт
  • КТ805Б — 3,3 ° C/Вт
  • КТ805БМ — 3,3 ° C/Вт
  • КТ805ВМ — 3,3 ° C/Вт

Источник